-
1 courant directe de grille
максимально допустимый прямой ток затвора
-
Обозначение
IЗ(пр)max
IGFmax
[ ГОСТ 19095-73]
Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant directe de grille
-
2 temps de croissance
- время нарастания тиристора
- время нарастания сигнала интегральной микросхемы
- время нарастания для полевого транзистора
- время нарастания для биполярного транзистора
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tнар
tr
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de croissance
-
3 retard à la croissance
- время задержки тиристора
- время задержки для биполярного транзистора
- время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,зд, tзд
tgd, td
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tу,зд, tзд
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
36. Время задержки для биполярного транзистора
D. Verzögerungszeit
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tзд
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > retard à la croissance
-
4 facteur de bruit
- шумовая постоянная туннельного диода
- коэффициент шума полевого транзистора
- коэффициент шума биполярного транзистора
коэффициент шума биполярного транзистора
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент шума полевого транзистора
коэффициент шума
Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
шумовая постоянная туннельного диода
NШ
Nn
Величина, определяемая соотношением:
NШ = 20lg Iр/gпер,
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер- отрицательная проводимость туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
74. Шумовая постоянная туннельного диода
D. Rauschfaktor der Tunneldiode
E. Noise factor
F. Facteur de bruit
Nш
Величина, определяемая соотношением:
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер - отрицательная проводимость туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
32. Коэффициент шума биполярного транзистора
D. Rauschzahl
E. Noise figure
F. Facteur de bruit
Kш
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > facteur de bruit
-
5 temps de décroissance
- время спада сигнала интегральной микросхемы
- время спада для полевого транзистора
- время спада для биполярного транзистора
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de décroissance
-
6 temps total de coupure
время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время выключения полевого транзистора
время выключения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
41. Время выключения биполярного транзистора
D. Ausschaltzeit
E. Turn-off time
F. Temps total de coupure
tвыкл
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps total de coupure
-
7 retard à la décroissance
время задержки выключения полевого транзистора
время задержки выключения
Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса.
Обозначение
tзд.выкл
td(off)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время рассасывания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Обозначение
tрас
ts
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
38. Время рассасывания для биполярного транзистора
D. Speicherzeit
E. Carrier storage time
F. Retard à la décroissance
tрас
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > retard à la décroissance
-
8 capacité d’entrée
входная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
входная емкость полевого транзистора
входная емкость
Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C11и
C11ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
27. Входная емкость биполярного транзистора
D. Eingangskapazität
E. Input capacitance
F. Capacité d’entrée
С*11
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > capacité d’entrée
-
9 capacité de sortie
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
выходная емкость полевого транзистора
выходная емкость
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C22и
C22ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > capacité de sortie
-
10 gain en puissance
- коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
- коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности
Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
Kур
Gp
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > gain en puissance
-
11 tension de bruit
напряжение шума ФЭПП
Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот.
Обозначение
UШ
Un
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
шумовое напряжение полевого транзистора
шумовое напряжение
Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком.
Обозначение
Uш
Un
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
D. Rauschspannung
E. Noise voltage
F. Tension de bruit
Uш
Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de bruit
-
12 temps total d’établissement
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps total d’établissement
-
13 courant de bruit
ток шума ФЭПП
Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот.
Обозначение
IШ
In
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
шумовой ток полевого транзистора
шумовой ток
Эквивалентный шумовой ток, приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот ∆f в схеме с общим истоком.
Обозначение
Iш
In
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant de bruit
-
14 conductance d’entrée, la sortie étant en court-circuit
активная составляющая входной проводимости полевого транзистора
активная входная проводимость
-
Обозначение
g11и
g11s
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- conductance d’entrée, la sortie étant en court-circuit
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > conductance d’entrée, la sortie étant en court-circuit
-
15 conductance de sortie, l’entrée étant en court-circuit
активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора
активная выходная проводимость
-
Обозначение
g22и
g22s
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- conductance de sortie, l’entrée étant en court-circuit
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > conductance de sortie, l’entrée étant en court-circuit
-
16 capacité grille-source
емкость затвор-исток
Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Обозначение
Cзио
Cgso
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > capacité grille-source
-
17 capacité grille-drain
емкость затвор-сток
Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Обозначение
Cзсо
Cgdo
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > capacité grille-drain
-
18 capacité drain-source
емкость сток-исток
Емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Обозначение
Cсио
Cdso
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > capacité drain-source
-
19 transconductance directe
крутизна характеристики полевого транзистора
крутизна характеристики
Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
Обозначение
S
gms
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > transconductance directe
-
20 dissipation de puissance
- максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора
максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора
-
Обозначение
Pmax
PDSmax
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > dissipation de puissance
См. также в других словарях:
ГОСТ 19095-73 — 26 с. (5) Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров Изменение №1/ИУС 12 1982 разделы 01.040.31, 31.080.30 … Указатель национальных стандартов 2013
ГОСТ 19095-73 — Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров [br] НД чинний: від 1975 01 01 Зміни: (1 XII 82) Технічний комітет: ТК 72 Мова: Ru Метод прийняття: Кількість сторінок: 14 Код НД згідно з ДК 004: 31.080.30 … Покажчик національних стандартів
ГОСТ 8.584-2004 — 18 с. (4) Государственная система обеспечения единства измерений. Счетчики статические активной электрической энергии переменного тока. Методика поверки раздел 17.020 … Указатель национальных стандартов 2013
19095 — ГОСТ 19095{ 73} Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. ОКС: 01.040.31, 31.080.30 КГС: Э00 Термины и обозначения Действие: С 01.01.75 Изменен: ИУС 12/82 Примечание: переиздание 2005 в сб. Электроника. Термины … Справочник ГОСТов
41.3 — ГОСТ Р 41.3{ 99 (Правила ЕЭК ООН № 3)} Единообразные предписания, касающиеся официального утверждения светоотражающих приспособлений для механических транспортных средств и их прицепов. ОКС: 43.040.20 КГС: Д25 Автотракторные детали, узлы и… … Справочник ГОСТов
31.080.30 — Транзистори ГОСТ 15172 70 Транзисторы. Перечень основных и справочных параметров ГОСТ 17466 80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры. Взамен ГОСТ 17466 72 ГОСТ 18604.0 83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении… … Покажчик національних стандартів
01.040.31 — Электроника (Словари) ГОСТ 13820 77 ГОСТ 15093 90 ГОСТ 15133 77 ГОСТ 16803 78 ГОСТ 17021 88 ГОСТ 17704 72 ГОСТ 17791 82 ГОСТ 18577 80 ГОСТ 18669 73 … Указатель национальных стандартов 2013
31.080.30 — Транзисторы ГОСТ 15172 70 ГОСТ 17466 80 ГОСТ 18604.0 83 ГОСТ 18604.1 80 ГОСТ 18604.2 80 ГОСТ 18604.3 80 ГОСТ 18604.4 74 ГОСТ 18604.5 74 ГОСТ … Указатель национальных стандартов 2013
активная составляющая входной проводимости полевого транзистора — активная входная проводимость Обозначение g11и g11s [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы активная входная проводимость EN short circuit input conductance DE Realteil des Kurzschluss Eingangsleitwertes FR conductance… … Справочник технического переводчика
активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора — активная выходная проводимость Обозначение g22и g22s [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы активная выходная проводимость EN short circuit output conductance DE Realteil des Kurzschluss Ausgangsleitwertes FR conductance de… … Справочник технического переводчика
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика